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SQUN702E-T1_GE3
制造廠商：Vishay（威世）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：模具
技術參數：MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN
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技術參數詳情：
制造商產品型號：SQUN702E-T1_GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半導體）描述：MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列產品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?零件狀態：有源FET類型：N 和 P 溝道，共漏FET功能：標準漏源電壓（Vdss）：40V，200V25°C時電流-連續漏極(Id)：30A（Tc），20A（Tc）不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：9.2 毫歐 @ 9.8A，10V，60 毫歐 @ 5A，10V，30 毫歐 @ 6A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA，3.5V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：23nC，14nC，30.2nC @ 10V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1474pF，1450pF，1302pF @ 20V，100V功率-最大值：48W（Tc），60W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝，可潤濕側翼封裝：模具現在可以訂購SQUN702E-T1_GE3，國內庫存當天發貨，國外庫存7-10天內發貨。
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