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SQUN700E-T1_GE3
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：分立半導體產品 > 晶體管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 陣列，封裝:模具
- 技術參數：MOSFET 2N-CH 200V/40V 16A DIE
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SQUN700E-T1_GE3技術參數詳情：
- 型號:SQUN700E-T1_GE3
- 品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
- 封裝:模具
- 類目:分立半導體產品 > 晶體管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 陣列
- 描述:MOSFET 2N-CH 200V/40V 16A DIE
- 包裝:卷帶（TR）
- 產品狀態:南皇電子 停止提供
- 技術:MOSFET（金屬氧化物）
- 配置:2 N 溝道（雙），P 溝道
- FET 功能:-
- 漏源電壓（Vdss）:200V，40V
- 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):16A（Tc），30A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）:9.2 毫歐 @ 9.8A，10V，75 毫歐 @ 5A，10V，30 毫歐 @ 6A，10V
- 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A，2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）:23nC @ 10V，11nC @ 10V，30.2nC @ 10V
- 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）:1474pF @ 20V，600pF @ 100V，1302pF @ 100V
- 功率 - 最大值:50W（Tc），48W（Tc）
- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等級:汽車級
- 資質:AEC-Q101
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝/外殼:模具
- 供應商器件封裝:模具
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