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SQM120P04-04L-GE3
制造廠商：Vishay（威世）
類別封裝：單端場效應管，原廠封裝
技術參數：MOSFET P-CH 40V 120A TO-263
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技術參數詳情：
Vishay威世半導體原廠型號：SQM120P04-04L-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半導體）描述：MOSFET P-CH 40V 120A TO-263系列：自動， AEC-Q101， TrenchFETFET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：40V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：120A（Tc）不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：4 毫歐 @ 30A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：330nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：13980pF @ 20V功率 - 最大值：375W安裝類型：*封裝/外殼：*供應商器件封裝：*現在可以訂購SQM120P04-04L-GE3，國內庫存當天發貨，國外庫存7-10天內發貨。
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