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SQJQ906EL-T1_GE3
制造廠商：Vishay（威世）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：PowerPAK? 8 x 8 雙
技術參數：MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
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技術參數詳情：
制造商產品型號：SQJQ906EL-T1_GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半導體）描述：MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列產品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?零件狀態：有源FET類型：2 N-通道（雙）FET功能：標準漏源電壓（Vdss）：40V25°C時電流-連續漏極(Id)：160A（Tc）不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：4.3 毫歐 @ 5A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：45nC @ 10V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3238pF @ 20V功率-最大值：187W工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：PowerPAK? 8 x 8 雙現在可以訂購SQJQ906EL-T1_GE3，國內庫存當天發貨，國外庫存7-10天內發貨。
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