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SQJ951EP-T1-GE3
制造廠商：Vishay（威世）
類別封裝：場效應管陣列，PowerPAK
技術參數：MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK
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技術參數詳情：
Vishay威世半導體原廠型號：SQJ951EP-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半導體）描述：MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK系列：自動， AEC-Q101， TrenchFETFET 類型：2 個 P 溝道（雙）FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：30A不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：17 mOhm @ 7.5A, 10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：50nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1680pF @ 10V功率 - 最大值：56W安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：PowerPAK SO-8 雙供應商器件封裝：PowerPAK SO-8 Dual現在可以訂購SQJ951EP-T1-GE3，國內庫存當天發貨，國外庫存7-10天內發貨。
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