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SQJ858AEP-T1-GE3
制造廠商：Vishay（威世）
類別封裝：單端場效應管，PowerPAK
技術參數：MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
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技術參數詳情：
Vishay威世半導體原廠型號：SQJ858AEP-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半導體）描述：MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8系列：TrenchFETFET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：40V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：58A（Tc）不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：6.3 毫歐 @ 14A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：55nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2450pF @ 20V功率 - 最大值：48W安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：PowerPAK SO-8供應商器件封裝：PowerPAK SO-8現在可以訂購SQJ858AEP-T1-GE3，國內庫存當天發貨，國外庫存7-10天內發貨。
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