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SQJ262EP-T1_BE3
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：分立半導體產品 > 晶體管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 陣列，封裝:PowerPAK SO-8 雙
- 技術參數：DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
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SQJ262EP-T1_BE3技術參數詳情：
- 型號:SQJ262EP-T1_BE3
- 品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
- 封裝:PowerPAK SO-8 雙
- 類目:分立半導體產品 > 晶體管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 陣列
- 描述:DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
- 包裝:卷帶（TR）
- 產品狀態:在售
- 技術:MOSFET（金屬氧化物）
- 配置:2 N-通道（雙）
- FET 功能:-
- 漏源電壓（Vdss）:60V
- 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):15A（Tc），40A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）:35.5 毫歐 @ 2A，10V，15.5 毫歐 @ 5A，10V
- 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）:10nC @ 10V，23nC @ 10V
- 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）:550pF @ 25V，1260pF @ 25V
- 功率 - 最大值:27W（Tc），48W（Tc）
- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等級:汽車級
- 資質:AEC-Q101
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝/外殼:PowerPAK SO-8 雙
- 供應商器件封裝:PowerPAK SO-8 雙
- 現在可以訂購SQJ262EP-T1_BE3，國內庫存當天發貨，國外庫存7-10天內發貨。
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