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SQD50P06-15L-GE3
制造廠商:Vishay(威世)
類別封裝:單端場效應管,TO-252
技術參數:MOSFET P-CH 60V 50A TO252
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技術參數詳情:
Vishay威世半導體原廠型號:SQD50P06-15L-GE3制造商:Vishay Semiconductor (威世半導體)描述:MOSFET P-CH 60V 50A TO252系列:TrenchFETFET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):60V電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):50A(Tc)不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):15.5 毫歐 @ 17A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):150nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):5910pF @ 25V功率 - 最大值:136W安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63供應商器件封裝:TO-252,(D-Pak)現在可以訂購SQD50P06-15L-GE3,國內庫存當天發貨,國外庫存7-10天內發貨。
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