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SQ9945BEY-T1-GE3
制造廠商：Vishay（威世）
類別封裝：場效應管陣列，8-SO
技術參數：MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
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技術參數詳情：
Vishay威世半導體原廠型號：SQ9945BEY-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半導體）描述：MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC系列：TrenchFETFET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：5.4A不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：64 毫歐 @ 3.4A， 10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：470pF @ 25V功率 - 最大值：4W安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝：8-SO現在可以訂購SQ9945BEY-T1-GE3，國內庫存當天發貨，國外庫存7-10天內發貨。
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