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SQ3419EV-T1_GE3
制造廠商：Vishay（威世）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：6-TSOP
技術參數：MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
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技術參數詳情：
制造商產品型號：SQ3419EV-T1_GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半導體）描述：MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?零件狀態：有源FET類型：P 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：40V25°C時電流-連續漏極(Id)：6.9A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：58 毫歐 @ 2.5A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：11.3nC @ 4.5VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：990pF @ 20VFET功能：-功率耗散（最大值）：5W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：6-TSOP現在可以訂購SQ3419EV-T1_GE3，國內庫存當天發貨，國外庫存7-10天內發貨。
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