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SIZF918DT-T1-GE3
制造廠商：Vishay（威世）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerWDFN
技術參數：MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6
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技術參數詳情：
制造商產品型號：SIZF918DT-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半導體）描述：MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列產品系列：TrenchFET? Gen IV零件狀態：有源FET類型：2 個 N 通道（雙），肖特基FET功能：標準漏源電壓（Vdss）：30V25°C時電流-連續漏極(Id)：23A（Ta），40A（Tc），35A（Ta），60A（Tc）不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：4 毫歐 @ 10A，10V，1.9 毫歐 @ 10A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA，2.3V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：22nC，56nC @ 10V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1060pF，2650pF @ 15V功率-最大值：3.4W（Ta），26.6W（Tc），3.7W（Ta），50W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：8-PowerWDFN現在可以訂購SIZF918DT-T1-GE3，國內庫存當天發貨，國外庫存7-10天內發貨。
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