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SIZF914DT-T1-GE3
制造廠商：Vishay（威世）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerWDFN
技術參數：DUAL N-CH 25-V (D-S) MOSFET W/SC
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技術參數詳情：
制造商產品型號：SIZF914DT-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半導體）描述：DUAL N-CH 25-V (D-S) MOSFET W/SC系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列產品系列：PowerPAIR?, TrenchFET?零件狀態：有源FET類型：2 N-通道（雙）FET功能：標準漏源電壓（Vdss）：25V25°C時電流-連續漏極(Id)：23.5A（Ta），40A（Tc），52A（Ta），60A（Tc）不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：3.8毫歐 @ 10A，10V，0.9毫歐 @ 10A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA，2.2V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：21nC，98nC @ 10V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1050pF，4670pF @ 10V功率-最大值：3.4W (Ta)，26.6W (Tc)，4W (Ta)，60W (Tc)工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：8-PowerWDFN現在可以訂購SIZF914DT-T1-GE3，國內庫存當天發貨，國外庫存7-10天內發貨。
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