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SISF04DN-T1-GE3
制造廠商：Vishay（威世）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：PowerPAK? 1212-8SCD
技術參數：MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 1212-8
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技術參數詳情：
制造商產品型號：SISF04DN-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半導體）描述：MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 1212-8系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列產品系列：TrenchFET? Gen IV零件狀態：有源FET類型：2 N 溝道（雙）共漏FET功能：標準漏源電壓（Vdss）：30V25°C時電流-連續漏極(Id)：30A（Ta），108A（Tc）不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：4 毫歐 @ 7A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：60nC @ 10V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2600pF @ 15V功率-最大值：5.2W（Ta），69.4W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：PowerPAK? 1212-8SCD現在可以訂購SISF04DN-T1-GE3，國內庫存當天發貨，國外庫存7-10天內發貨。
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