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SIS436DN-T1-GE3
制造廠商：Vishay（威世）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：PowerPAK? 1212-8
技術參數：MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
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技術參數詳情：
制造商產品型號：SIS436DN-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半導體）描述：MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產品系列：TrenchFET?零件狀態：停產FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：25V25°C時電流-連續漏極(Id)：16A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：10.5 毫歐 @ 10A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：22nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：855pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.5W（Ta），27.7W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：PowerPAK? 1212-8現在可以訂購SIS436DN-T1-GE3，國內庫存當天發貨，國外庫存7-10天內發貨。
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