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SIR512DP-T1-RE3
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：分立半導體產品 > 晶體管 > FET，MOSFET > 單 FET，MOSFET，封裝:PowerPAK SO-8
- 技術參數：N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
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SIR512DP-T1-RE3技術參數詳情：
- 型號:SIR512DP-T1-RE3
- 品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
- 封裝:PowerPAK SO-8
- 類目:分立半導體產品 > 晶體管 > FET，MOSFET > 單 FET，MOSFET
- 描述:N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
- 系列:-
- 包裝:卷帶（TR）
- 產品狀態:在售
- FET 類型:N 通道
- 技術:MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）:100 V
- 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):25.1A（Ta），100A（Tc）
- 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:7.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）:4.5 毫歐 @ 20A，10V
- 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）:62 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）:3400 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:6W（Ta），96.2W（Tc）
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等級:-
- 資質:-
- 安裝類型:表面貼裝型
- 供應商器件封裝:PowerPAK SO-8
- 封裝/外殼:PowerPAK SO-8
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