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SIHF30N60E-E3
制造廠商：Vishay（威世）
類別封裝：單端場效應管，TO-220
技術參數：MOSFET N-CH 600V 29A TO220
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技術參數詳情：
Vishay威世半導體原廠型號：SIHF30N60E-E3制造商：Vishay Semiconductor （威世半導體）描述：MOSFET N-CH 600V 29A TO220系列：-FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：600V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：29A（Tc）不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：125 毫歐 @ 15A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：130nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2600pF @ 100V功率 - 最大值：37W安裝類型：通孔封裝/外殼：TO-220-3 整包供應商器件封裝：TO-220 整包現在可以訂購SIHF30N60E-E3，國內庫存當天發貨，國外庫存7-10天內發貨。
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