SIHB28N60EF-T5-GE3技術參數詳情：
- 型號:SIHB28N60EF-T5-GE3
- 品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
- 封裝:TO-263（D2PAK）
- 類目:分立半導體產品 > 晶體管 > FET，MOSFET > 單 FET，MOSFET
- 描述:N-CHANNEL 600V
- 系列:-
- 包裝:卷帶（TR）
- 產品狀態:在售
- FET 類型:N 通道
- 技術:MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）:600 V
- 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):28A（Tc）
- 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）:123 毫歐 @ 14A，10V
- 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）:2714 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等級:-
- 資質:-
- 安裝類型:表面貼裝型
- 供應商器件封裝:TO-263（D2PAK）
- 封裝/外殼:TO-263-3，D2PAK（2 引線 + 凸片），TO-263AB
- 現在可以訂購SIHB28N60EF-T5-GE3，國內庫存當天發貨，國外庫存7-10天內發貨。
