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SIA817EDJ-T1-GE3
制造廠商:Vishay(威世)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:PowerPAK? SC-70-6 雙
技術參數:MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
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技術參數詳情:
制造商產品型號:SIA817EDJ-T1-GE3制造商:Vishay Semiconductor (威世半導體)描述:MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個產品系列:LITTLE FOOT?零件狀態:有源FET類型:P 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30V25°C時電流-連續漏極(Id):4.5A(Tc)驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,10V不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):65 毫歐 @ 3A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):23nC @ 10VVgs(最大值):±12V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):600pF @ 15VFET功能:肖特基二極管(隔離式)功率耗散(最大值):1.9W(Ta),6.5W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:PowerPAK? SC-70-6 雙現在可以訂購SIA817EDJ-T1-GE3,國內庫存當天發貨,國外庫存7-10天內發貨。
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