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SI8902AEDB-T2-E1
制造廠商:Vishay(威世)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:6-UFBGA
技術參數:N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET
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技術參數詳情:
制造商產品型號:SI8902AEDB-T2-E1制造商:Vishay Semiconductor (威世半導體)描述:N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列產品系列:TrenchFET?零件狀態:有源FET類型:2 N-通道(雙)FET功能:標準漏源電壓(Vdss):24V25°C時電流-連續漏極(Id):11A不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):28 毫歐 @ 1A,4.5V不同Id時Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):-不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-功率-最大值:5.7W工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:6-UFBGA現在可以訂購SI8902AEDB-T2-E1,國內庫存當天發貨,國外庫存7-10天內發貨。
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