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SI7913BDN-T1-GE3
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：分立半導體產品 > 晶體管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 陣列，封裝:PowerPAK 1212-8 雙
- 技術參數：DUAL P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF
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SI7913BDN-T1-GE3技術參數詳情：
- 型號:SI7913BDN-T1-GE3
- 品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
- 封裝:PowerPAK 1212-8 雙
- 類目:分立半導體產品 > 晶體管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 陣列
- 描述:DUAL P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF
- 包裝:卷帶（TR）
- 產品狀態:在售
- 技術:MOSFET（金屬氧化物）
- 配置:2 個 P 溝道（雙）
- FET 功能:-
- 漏源電壓（Vdss）:20V
- 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):6A（Ta），6A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）:25.5 毫歐 @ 6A，4.5V
- 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）:52.2nC @ 8V
- 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）:1825pF @ 10V
- 功率 - 最大值:2.5W（Ta），19.8W（Tc）
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C
- 等級:-
- 資質:-
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝/外殼:PowerPAK 1212-8 雙
- 供應商器件封裝:PowerPAK 1212-8 雙
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