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SI4936BDY-T1-GE3
制造廠商:Vishay(威世)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
技術參數:MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
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技術參數詳情:
制造商產品型號:SI4936BDY-T1-GE3制造商:Vishay Semiconductor (威世半導體)描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列產品系列:TrenchFET?零件狀態:有源FET類型:2 N-通道(雙)FET功能:邏輯電平門漏源電壓(Vdss):30V25°C時電流-連續漏極(Id):6.9A不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):35 毫歐 @ 5.9A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):15nC @ 10V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):530pF @ 15V功率-最大值:2.8W工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)現在可以訂購SI4936BDY-T1-GE3,國內庫存當天發貨,國外庫存7-10天內發貨。
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