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SI4563DY-T1-GE3
制造廠商：Vishay（威世）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
技術參數：MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC
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技術參數詳情：
制造商產品型號：SI4563DY-T1-GE3制造商：Vishay Semiconductor （威世半導體）描述：MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列產品系列：TrenchFET?零件狀態：停產FET類型：N 和 P 溝道FET功能：標準漏源電壓（Vdss）：40V25°C時電流-連續漏極(Id)：8A不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：16 毫歐 @ 5A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：85nC @ 10V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2390pF @ 20V功率-最大值：3.25W工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）現在可以訂購SI4563DY-T1-GE3，國內庫存當天發貨，國外庫存7-10天內發貨。
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