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Vishay

產品參考圖片

SI3911DV-T1-E3

制造廠商：Vishay（威世）

類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：SOT-23-6 細型，TSOT-23-6

技術參數：MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP

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技術參數詳情：

制造商產品型號：SI3911DV-T1-E3

制造商：Vishay Semiconductor （威世半導體）

描述：MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：*

零件狀態：停產

FET類型：2 個 P 溝道（雙）

FET功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時電流-連續漏極(Id)：1.8A

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：145 毫歐 @ 2.2A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：450mV @ 250μA（最小）

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：7.5nC @ 4.5V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-

功率-最大值：830mW

工作溫度：-

安裝類型：表面貼裝型

封裝：SOT-23-6 細型，TSOT-23-6

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