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SI2305CDS-T1-BE3
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：分立半導體產品 > 晶體管 > FET，MOSFET > 單 FET，MOSFET，封裝:SOT-23-3（TO-236）
- 技術參數：P-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET
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SI2305CDS-T1-BE3技術參數詳情：
- 型號:SI2305CDS-T1-BE3
- 品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
- 封裝:SOT-23-3（TO-236）
- 類目:分立半導體產品 > 晶體管 > FET，MOSFET > 單 FET，MOSFET
- 描述:P-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET
- 系列:-
- 包裝:卷帶（TR）
- 產品狀態:在售
- FET 類型:P 通道
- 技術:MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）:8 V
- 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):4.4A（Ta），5.8A（Tc）
- 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）:35 毫歐 @ 4.4A，4.5V
- 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 8 V
- Vgs（最大值）:±8V
- 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 4 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:960mW（Ta），1.7W（Tc）
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等級:-
- 資質:-
- 安裝類型:表面貼裝型
- 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）
- 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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