MXPQ120A045SE-1GE3技術參數詳情：
- 型號:MXPQ120A045SE-1GE3
- 品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
- 封裝:D2PAK-7L（TO-263 7L）
- 類目:分立半導體產品 > 晶體管 > FET，MOSFET > 單 FET，MOSFET
- 描述:SIC FET, AUTO-GRADE, 1200V, 45M,
- 包裝:卷帶（TR）
- 產品狀態:在售
- FET 類型:N 通道
- 技術:SiCFET（碳化硅）
- 漏源電壓（Vdss）:1200 V
- 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):52A（Tc）
- 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V，18V
- 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）:56 毫歐 @ 26A，18V
- 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 5mA
- 不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）:82 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）:+22V，-10V
- 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）:2483 pF @ 800 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:268W（Tc）
- 工作溫度:-55°C ~ 175°C
- 等級:汽車級
- 資質:AEC-Q101
- 安裝類型:表面貼裝型
- 供應商器件封裝:D2PAK-7L（TO-263 7L）
- 封裝/外殼:TO-263-8，D2PAK（7 引線 + 凸片），TO-263CA
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